Главная - Новости

Установка для выращивания монокристаллов карбида кремния


Карбид кремния (SiC) это соединение кремния с углеродом; один из ключевых материалов в современной микроэлектронике. Карбид кремния применяется для производства мощных сверхвысокочастотных транзисторов и сверхярких светодиодов (экономичных источников белого света). В ближайшие годы на рынке прогнозируется дефицит монокристаллов карбида кремния, в связи с его широким использованием в электронной промышленности. В передовых странах ведутся исследовательские работы по совершенствованию технологии выращивания монокристаллов, ее автоматизации и созданию новых приборов и устройств на основе карбида кремния. 

ФГУП ЭЗАН совместно с ИФТТ РАН и ГК «Нитридные кристаллы» успешно разработал и изготовилавтоматизированную промышленную установку для выращивания монокристаллов карбида кремния сублимационным методом. Индукционный нагрев осуществляется с помощью высокостабильного транзисторного генератора мощностью до 100 кВт, собственной разработки завода. Также оборудование оснащено системой автоматического управления процессом роста, обеспечивающей возможность задания программы автоматического функционирования оборудования на всех стадиях технологического процесса. Установка позволяет выращивать кристаллы диаметром до 80 мм, высотой до 30 мм. 

Оборудование уже поставлено в ИФТТ, где используется для проведения научных исследований в области ростовых технологий, а также будет поставляться ФГУП ЭЗАН для применения в промышленности. Научным руководителем работ со стороны ИФТТ был д.т.н. Емельченко Г.А. и к.т. н. Жохов А.А., а со стороны ФГУП ЭЗАН - к. ф-м. н. А.В.Бородин, конструкция установки была разработана в СКБ ФГУП ЭЗАН инженерами Кузьминым М. Н. и Герасимовым М. А. под руководством Савиной Ж.А.