Главная - Продукция - Оборудование роста кристаллов - Автоматизированная установка для выращивания монокристаллов карбида кремния сублимационным методом

Автоматизированная установка для выращивания монокристаллов карбида кремния сублимационным методом

Совместная разработка ФГУП ЭЗАН, ГК «Нитридные кристаллы» и ИФТТ РАН


Установка позволяет выращивать кристаллы диаметром до 80 мм, высотой до 30 мм.


Индукционный нагрев осуществляется с помощью высокостабильного транзисторного генератора мощностью до 100 кВт. В качестве генератора применяется водно-охлаждаемый транзисторный преобразователь частоты (IGBT) с максимальной мощностью 100 кВт и настраиваемой частотой 5-20 кГц, выпускаемый ФГУП ЭЗАН.


Стойка управления и контроля процессом осуществляет автоматическое управление технологическим процессом получения кристалла. Она включает приборы управления вакуумной системой, системой подачи газов, мощностью нагрева, контроля температуры держателя затравочного кристалла, водяного охлаждения. Управление и контроль всеми процессами осуществляются с помощью промышленного компьютера с жидкокристаллическим дисплеем с диагональю 17”.


Система автоматического управления процессом роста обеспечивает возможность задания программы автоматического функционирования оборудования на всех стадиях технологического процесса. Программный модуль сбора-обработки технологических данных и данных после ростового анализа структуры кристалла позволяет эффективно оптимизировать технологический процесс.






Технические характеристики установки

  • Метод выращивания карбида кремния -SiC 
  • Сублимационный метод   
  • Максимальный диаметр кристалла  
  • Не менее 50 мм 
  • Максимальная температура сублимации  
  • до 2600О С 
  • Диаметр тигля для шихты  
  • до 110 мм  
  • Внутренний диаметр кварцевого ректора  
  • 210 мм 
  • Внутренний диаметр индуктора 
  • 270 мм 
  • Выходная максимальная мощность ВЧ генератора  
  • До 100 кВт  
  • Частота генератора  
  • 5-20 кГц 
  • Тип генератора 
  • Транзисторный (IGBT), водяного охлаждения 
  • Коэффициент полезного действия 
  • 95% 
  • Допустимое отклонение выходной мощности преобразователя частоты от установленной  
  • ± 0,05%  
  • Скорость вращения нижнего штока 
  • 1-30 об/мин   
  • Рабочая скорость перемещения нижнего штока 
  • 0.1-1 мм/час 
  • Рабочий ход нижнего штока  
  • 150 мм  
  • Предельное давление инертного газа в камере  
  • не более 1,1х105Па  
  • Предельный форвакуум в реакторе при выключенном индукторе  
  • не более 2,6 Па  
  • Предельный вакуум в реакторе при выключенном индукторе 
  • Не более 10-3 Па 
  • Количество линий подачи технологических газов 
  • Не менее 2-х 
  • Потребляемая мощность установки (без генератора)  
  • не более 3 Квт  
  • Давление охлаждающей воды 
  • от 200 кПа до 250 кПа 
  • Расход охлаждающей воды  
  • Не более 3 м3/час