Главная - Продукция - Оборудование роста кристаллов - Технологии выращивания кристаллов - Выращивание кристаллов оксидов способом Чохральского

Выращивание кристаллов оксидов способом Чохральского

В лаборатории роста кристаллов на установках НИКА-С и НИКА-3 освоены технологические процессы выращивания монокристаллов сапфира, ниобата лития, алюмоиттриевого граната, алюмоиттриевого граната легированного неодимом (YAG Nd 3+). Процессы полностью автоматизированы, исключая процедуру затравливания.


В программном обеспечении системы управления процессом роста используется новая методика автоматической настройки ПИД регулятора, состоящая из трех этапов: накопление экспериментальных данных об ОУ в ходе управления процессом при помощи релейного регулятора, вычисления коэффициентов модели объекта управления и определения коэффициентов ПИД регулятора на основе построенной математической модели и заданного эталонного переходного процесса. На этапе определения коэффициентов регулятора используется безусловный метод минимизации Нелдера-Мида. Это позволяет вводить дополнительные условия при выборе коэффициентов ПИД регулятора, такие как: ограничение на управляющее воздействие и скорость его нарастания, наличие зоны нечувствительности и насыщения.


Для прецизионного задания мощности генератора используется оптический канал передачи значений мощности нагрева, исключающий искажение сигнала электрическими помехами.