Главная - Продукция - Оборудование роста кристаллов - Технологии выращивания кристаллов - Выращивание профилированных кристаллов сапфира способом Степанова

Выращивание профилированных кристаллов сапфира способом Степанова

Способ Степанова и его модификации позволяют получать большую номенклатуру профилей кристаллов металлов, полупроводников и диэлектриков постоянного сечения и изделия более сложных форм, кристаллизуя их непосредственно из расплава. Способ основан на идее капиллярного формообразования. При росте кристалла расплав поступает из тигля по капиллярным каналам специальной фильеры (формообразователя) к ее рабочей поверхности, кромки которой задают контур тонкого слоя расплава (мениска), заключенного между формообразователем и межфазной границей. Поперечное сечение вытягиваемого кристалла определяется геометрией кромок формообразователя.

ФГУП ЭЗАН совместно с ЗАО «РОСТОКС-Н» производит широкую номенклатуру профилей кристаллов сапфира в виде лент, стержней различного сечения и труб. Выращивание кристаллов в группе (до 42 стержней и 12 лент) позволяет существенно повысить производительность процесса.

 

Сапфировые изделия


Ленты (после роста), пластины (тонкая шлифовка), окна (полировка) Кристаллографическая ориентация: A-плоскость

Ширина, мм Толщина, мм  Длина, мм 
до ~40  до ~6  до ~500 
~40 – 70  до ~6  до ~400 
~70 - 120  до ~6  до ~300 


Трубы (после роста, шлифованные и полированные) Кристаллографическая ориентация: ось C вдоль длины
 

Внутренний диаметр, мм Толщина стенки, мм  Длина, мм 
~1.5 – 20  ~0.5 – 3  до ~600 
~20 – 30  ~1 – 4  до ~500 
~30 – 40  ~1.5 – 4  до ~350 
~40 – 50  ~1.5 – 4  до ~300 


Стержни (после роста, шлифованные и полированные) Кристаллографическая ориентация: ось C вдоль длины


Диаметр, мм Длина, мм 
~1 – 10  до ~500 

Изделия особой формы и исполнения – по запросу